化學(xué)機械拋光CMP設(shè)備行業(yè)的國際發(fā)展現(xiàn)狀
最早的CMP技術(shù)是由IBM公司于80年代中期利用Strasbaugh公司的拋光機在East Fishkill工廠進行工藝的開發(fā)。1988年,IBM開始將CMP工藝用于4MDRAM器件的制造。到1990年,IBM公司便向Micron Technology公司出售了采用CMP技術(shù)的4MDRAM工藝。此后不久,又與Motorola公司合作,共同進入為蘋果計算機公司生產(chǎn)PC機器件的行列。從此各種邏輯電路和存儲器便以不同的發(fā)展規(guī)模走向CMP。到1994年,隨著0.5μm器件的批量生產(chǎn)和0.35μm工藝的開發(fā),CMP工藝便逐漸進入生產(chǎn)線,設(shè)備市場初步形成。
CMP技術(shù)發(fā)展歷程可以分為三個階段:第一階段為銅工藝以前。在銅布線工藝之前,CMP主要研磨的材料為鎢和氧化物;第二階段為1997年~2000年。在進入金屬雙嵌工藝之后,研磨材料從二氧化硅拓展到氟硅酸鹽玻璃(FSG),這個階段也對應(yīng)于從0.25μm進入0.13μm工藝;第三階段是采用銅互連和低K介質(zhì)時期。CMP研磨對象主要為內(nèi)部互連層和淺溝道隔離(STI)層。研磨的材料為銅和介質(zhì)材料。目前,CMP技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成以化學(xué)機械拋光為主體,集成在線檢測、清洗、干燥等技術(shù)于一體的化學(xué)機械平坦化技術(shù)。
國外主流化學(xué)機械拋光(CMP)供應(yīng)商主要有Applied Material、Peter wolters、Ebara、Novellus、Speedfam-IPEC和東京精密六家,推出的CMP設(shè)備主要針對大尺寸(200mm~300mm)硅片加工和集成電路制造(90nm節(jié)點以下)銅互連工藝領(lǐng)域。目前,國際上推出的300mmCMP產(chǎn)品有:Applied material的ReflexionTM系列,Peter wolters的Apollo PM300型,Ebara的FREX300型、Novellus的XcedaTM系列和Speedfam-IPEC的Momentum 300TM設(shè)備。其中,Applied material、Novellus的CMP設(shè)備主要應(yīng)用在IC制造銅互連工藝領(lǐng)域。Peter wolters和Speedfam-IPEC的CMP設(shè)備在硅片加工領(lǐng)域應(yīng)用較為普遍。
美國Applied material
美國應(yīng)用材料公司是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商,也是目前國際上最大的CMP設(shè)備供應(yīng)商,占據(jù)著國際上60%以上的CMP市場。Applied Material公司于1997年推出其第一臺Mirra CMP產(chǎn)品,之后憑借其全球服務(wù)和性能保證資源優(yōu)勢,通過兼并Obsidian公司,在短短5-6年內(nèi),便向市場出售了1000多臺CMP設(shè)備,一躍成為CMP設(shè)備市場的霸主。Applied Material公司專注于旋轉(zhuǎn)型CMP設(shè)備,常采用氧化鈰(Ce)研磨液,在STI CMP工藝方面已經(jīng)成熟。其在用于IC制造的銅CMP市場中已占據(jù)80%的份額。AM公司最新的Reflexion LK是其的升級產(chǎn)品,采用了澤天傳感更靈活的設(shè)計平臺,是針對130nm-65nm的量產(chǎn)設(shè)備。
圖1 Applied Materials公司ReflexionTM-LK 300型設(shè)備外型圖
德國Peter wolters
Peter wolters為歐洲知名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商,一直專注于CMP設(shè)備的研發(fā),在硅材料CMP領(lǐng)域有著獨特的設(shè)計和理解。Peter wolters公司生產(chǎn)的CMP設(shè)備主要有:PM200-Apollo、PM 200 GEMINI、PM300-Apollo、HFP 200、HFP 300等。均為旋轉(zhuǎn)式CMP設(shè)備,其中PM300-Apollo型為300mm硅片CMP加工設(shè)備,可根據(jù)不同配置實現(xiàn)“干進濕出”或“干進干出”的功能。HFP 300為Peter wolters開發(fā)的最新的300mm硅片加工設(shè)備,生產(chǎn)效率更高一些。
圖2 Peter Wolters公司HFP300型設(shè)備外型圖
日本荏原(Ebara)制造所
日本荏原(Ebara)的旋轉(zhuǎn)式CMP拋光設(shè)備近幾年一致保持著全球第二的銷售量。主要的設(shè)備型號有F*REX200型、F*REX300型。其中FREX300型是針對300mm的IC制造設(shè)備。同時,該公司正將電場研磨技術(shù)、蝕刻技術(shù)和超純水研磨液技術(shù)用于65nm節(jié)點的Cu/LK的低壓化學(xué)機械拋光設(shè)備開發(fā)。到目前為止,該公司已出售800多臺200mm圓片CMP設(shè)備,100多臺300mm圓片CMP設(shè)備。
圖3 日本荏原(Ebara)制造的F*REX300型設(shè)備外型圖
以上三家國際主流設(shè)備性能配置見表1。從表中可以發(fā)現(xiàn),不同公司的產(chǎn)品,技術(shù)參數(shù)與配置大同小異,這說明CMP工藝已相對成熟,比較穩(wěn)定。
設(shè)備供應(yīng)商 |
Applied material |
Peter Wolters |
Ebara |
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型號 |
Reflexion-LK300 |
HFP300 |
PM300 Apollo |
F*REX300 |
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晶片直徑 |
300 mm |
300 mm |
300 mm |
300 mm |
|
系統(tǒng)結(jié)構(gòu) |
干進干出 4拋光頭/3拋光臺 |
干進濕出 4拋光頭/2拋光臺 |
干進濕出 2拋光頭/4拋光臺 |
干進濕出 2拋光頭/2拋光臺 |
|
晶片傳輸方式 |
自動傳輸 |
自動傳輸 |
自動傳輸 |
自動傳輸 |
|
拋光頭 |
轉(zhuǎn)速 |
30-200 rpm |
0-120rpm |
0-125rpm |
10-120rpm |
背壓 |
10-180kPa |
0-200kPa |
0-200kPa |
5-70kPa |
|
下壓力 |
345N-3450N |
300-5000N |
0-4000N |
10-70kPa |
|
拋光臺 |
直徑 |
/ |
900mm |
主拋光臺:900mm 次拋光臺:430mm |
900mm |
轉(zhuǎn)速 |
30-200 rpm |
0-125rpm |
主拋光臺:0-125rpm 次拋光臺:0-125rpm |
10-150rpm |
|
溫度 |
/ |
20-60℃ |
主拋光臺:20-60℃ 次拋光臺:20-60℃ |
20-60℃ |
|
拋光墊修整盤 |
下壓力 |
/ |
0-350N |
0-350N |
50-300N |
直徑 |
/ |
120mm |
120mm |
260mm |
|
轉(zhuǎn)速 |
/ |
0-80rpm |
0-80rpm |
10-150rpm |
|
澤天傳感 |
|
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金剛砂盤 |
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控制界面 |
SECS II / SEMI |
SECS II /GEM |
SECS II /GEM,CIM |
SEMI |
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應(yīng)用領(lǐng)域 |
銅互連平坦化 |
硅片加工 |
硅片加工 |
硅片加工 |
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